삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭) 12㎚(나노미터, 1㎚=10억분의 1)급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램(사진)을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.
1992년부터 D램 시장 글로벌 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 지난해 10월 업계 최선단 14나노 DDR5 D램 양산에 이어 12나노급 D램 개발을 통해 미세공정 한계를 극복하며 기술 리더십을 증명하고 있다.
삼성전자가 개발한 12나노급 공정은 ‘5세대 10나노급 공정’을 의미한다. 삼성전자는 자사의 미세공정 기술력을 강조하기 위해 ‘12나노’라는 구체적 선폭을 공개했다.
삼성전자 관계자는 “유전율이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성을 개선하기 위한 혁신적 설계로 업계 최선단의 공정을 완성했다”고 설명했다.
이번 제품은 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. EUV 기술을 적용하면 반도체 회로를 더 세밀하게 구현할 수 있어 생산성이 향상된다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 20% 증가한다는 의미다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이전 세대 제품보다 소비 전력도 약 23% 개선돼 기후위기 극복에 동참하는 글로벌 정보기술(IT) 기업들에 최상의 솔루션이 될 것이라고 회사 측은 기대한다.
삼성전자는 내년부터 12나노급 D램을 양산하는 한편 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
삼성전자는 1992년 글로벌 D램 시장 점유율 1위에 오른 이후 한 번도 1위 자리를 내준 적이 없다. 올해도 40% 이상의 점유율로 1위를 지키고 있다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능(AI)·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.