국내 반도체 분야 권위자로 손꼽혀온 전 삼성전자 임원 등 7명이 재판에 넘겨졌다. 이 전직 임원은 삼성전자 반도체 공장을 통째로 복사해 중국에 ‘복제 공장’을 설립하려 한 것으로 알려졌다. 대만에 대규모 공장을 세우려던 계획은 실현되지 않았으나 중국 청두시에선 지난해 연구개발(R&D)동이 지어져 시제품이 생산된 것으로 파악됐다.
수원지검 방위사업·산업기술범죄수사부(부장검사 박진성)는 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 삼성전자 상무와 SK하이닉스 부사장을 지낸 A(65)씨를 구속기소 했다고 12일 밝혔다.
또 A씨가 세운 중국 반도체 제조 업체 직원 5명과 설계 도면을 빼돌린 삼성전자 협력업체 직원 1명 등 6명을 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 불구속기소 했다.
A씨는 2018년 8월부터 2019년까지 삼성전자의 영업비밀인 반도체 공장 BED(Basic Engineering Data)와 공정 배치도, 설계도면 등을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다.
반도체 공장 BED는 반도체 제조가 이뤄지는 공간에 불순물이 존재하지 않는 최적의 환경을 만들기 위한 기술이다. 공정배치도에는 핵심 8대 공정의 배치, 면적 등 정보가 기재돼 있다. 해당 기술은 30나노 이하급 D램 및 낸드플래시를 제조하는 반도체 공정 기술로, 국가핵심기술이라고 검찰은 밝혔다.
검찰에 따르면 A씨는 중국 시안에 있는 삼성전자 반도체 공장과 불과 1.5㎞ 떨어진 곳에 삼성전자의 복사판인 또 다른 반도체 공장을 건설하려 했다. 이 과정에서 대만의 전자제품 생산업체가 A씨에게 약정한 8조원 투자가 불발되면서 공장이 실제로 들어서진 않았다.
다만 A씨가 중국 청두시로부터 4600억원을 투자받아 만든 반도체 제조 공장이 지난해 연구개발(R&D)동을 완공해 삼성전자 반도체 기술이 적용된 반도체 시제품을 생산한 것으로 알려졌다.
그는 중국에 반도체 제조 공장을 설립한 뒤 국내 삼성전자와 SK 하이닉스 인력 200명도 고용한 것으로 전해졌다. A씨는 직원들에게 삼성전자 반도체 설계 자료 등을 입수해 활용하라고 지시했고, 직원들은 지시를 따랐다고 검찰은 설명했다. 검찰은 이번 기술 유출로 삼성전자가 최소 3000억원에 이르는 피해를 본 것으로 추산했다.
검찰 관계자는 “반도체 공장을 통째로 복제 건설하려 한 시도를 엄단했다”며 “국내 반도체 산업 근간을 흔드는 중대 범행”이라고 말했다.