삼성전자의 5세대 HBM인 HBM3E ‘샤인볼트’가 베일을 벗었다. 초거대 인공지능(AI) 시대를 맞아 기존과는 차원이 다른 고성능, 고용량, 저전력 반도체가 요구되는 시점에 삼성전자는 “AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 D램”이라며 자신감을 드러냈다.
삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 개최한 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 샤인볼트와 함께 차세대 메모리 솔루션들을 대거 공개했다.
글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 이정배 메모리사업부장(사장), 미주총괄 짐 엘리엇 부사장 등이 직접 나서서 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.
행사에선 초고성능 HBM3E D램 샤인볼트, 저소비전력 LPDDR D램 기반 새 메모리 모듈인 ‘LPDDR5X CAMM2’, 스토리지 가상화를 통해 분할 사용할 수 있는 ‘탈부착 가능 차량용 SSD’ 등이 발표됐다.
특히 샤인볼트는 업계 이목을 집중시켰다. 메모리 양대 산맥인 SK하이닉스와의 공정 경쟁을 가속할 제품이라서다. SK하이닉스는 먼저 5세대 HBM3E 개발에 성공했고, 내년부터 양산에 돌입한다.
샤인볼트는 데이터 처리 속도가 초당 최대 1.2TB(테라바이트) 이상이다. 30GB(기가바이트)짜리 초고화질 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있다는 뜻이다. 삼성전자는 “기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했다. 열전도 또한 극대화해 발열을 개선했다”며 “이미 고객들에게도 HBM3E 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다.
삼성전자는 메모리 개발 현황도 공개했다. 삼성전자는 차세대 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 10나노 이하 D램에선 3D 신구조를 도입해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.
9세대 V낸드에선 ‘더블 스택’ 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 삼성전자는 “셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 ‘채널 홀 에칭’으로 ‘1000단 V낸드’ 시대를 준비해 나가겠다”고 강조했다.