삼성전자가 한국과 미국에서 첨단 반도체를 동시에 양산하는 승부수를 띄운다. 최대 반도체 시장이면서 경제안보 동맹의 핵심 축인 미국에서 ‘초격차’를 확고히 하고 글로벌 반도체 공급망 패권을 장악하려는 전략으로 풀이된다.
미국으로서는 사상 처음으로 자국 내에 연구개발(R&D)과 팹(제조), 패키징(후공정)을 모두 한곳에서 처리하는 ‘서플라이 체인’을 완성하며 최첨단 반도체 제조 역량과 리더십을 확보하는 효과가 기대된다. 미국은 이에 화답해 삼성전자에 64억달러(약 8조8000억원) 규모의 정부 보조금을 지급하기로 했다.
미국 상무부는 15일(현지시간) 삼성에 대한 지원 계획을 발표했다. 이는 당초 예상됐던 60억달러를 웃도는 수준이다.
지나 러몬도 상무장관은 이날 텍사스 테일러시에 2나노미터(㎚·10억 분의 1m), 4나노급 첨단 반도체 대량 생산에 중점을 둔 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 설립하고, 차세대 반도체 기술을 위한 R&D 전용 실험실, 최첨단 반도체 패키징 시설도 세워질 예정이라고 설명했다.
반도체는 웨이퍼 형태로 생산된 반도체를 자르고 전기 배선 등을 연결해 전자 기기에 탑재할 수 있는 형태로 조립하는 작업을 거쳐 완성되는데, 웨이퍼 형태의 반도체를 제조하는 시설이 팹이고, 조립이 패키징, 후공정이다.
삼성전자는 현재 테일러에 170억달러를 투자해 신규 파운드리 팹을 짓고 있다. 삼성전자는 반도체 생산시설 1기와 패키징 시설 등을 추가로 건설한다. 상무부는 삼성전자가 400억달러(약 55조원) 이상을 투자할 것으로 예상한다.
삼성전자에 대한 미국 정부의 지원은 ‘특급 대우’다. 현금 보조금 규모는 미국 반도체 기업 인텔(85억달러)과 대만 TSMC(66억달러)에 이어 세 번째로 크다. 투자금 대비 보조금 비율은 삼성전자가 약 14%로, 인텔과 TSMC를 앞선다.
이는 미 정부가 한·미동맹과 삼성전자의 기술 역량을 높이 평가한 결과라는 분석이다. 조 바이든 미 대통령은 이날 성명을 내고 “삼성의 대미 투자 발표는 ‘미국에 투자하라’는 어젠다와 한·미동맹이 미국 곳곳에서 기회를 창출하고 있음을 보여 주는 사례”라고 말했다.