삼성전자가 ‘꿈의 메모리’로 불리는 3차원(3D) D램 시장을 선점하기 위해 차세대 메모리 연구개발(R&D) 조직을 신설한 것으로 확인됐다.
28일 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS)부문은 최근 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 R&D 조직을 신설했다. 3D D램 선제 연구를 전담하는 조직으로, 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장이 직접 이끈다.
3D D램은 메모리 반도체 업계에서 향후 글로벌 D램 시장 판도를 뒤흔들 ‘게임체인저’로 불린다. 현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 3D D램은 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리거나 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등으로 같은 면적에 집적도를 높여 성능을 크게 향상할 수 있다.
삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3D 승부수를 걸겠다는 구상이다. 이정배 메모리사업부 사장은 지난해 10월 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 “10나노미터(㎚, 1㎚는 10억분의 1m) 이하 D램에 3D 수직 신구조를 가장 먼저 도입하겠다”고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 일본에서 열린 ‘VLSI 심포지엄’에서도 3D D램 연구 성과가 담긴 논문을 발표하면서 3D D램을 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시한 바 있다.
업계에선 3D D램을 가장 먼저 개발·양산하는 기업이 차세대 D램 시장의 승기를 잡을 것이라는 평가가 지배적이다. 낸드플래시 시장에서 벌어지고 있는 단수 경쟁이 D램에서도 일어나고 있는 것이다.
삼성전자는 신규 조직을 중심으로 실리콘밸리에서 우수 개발 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와 협력할 계획이다. 지난 17일 열린 신규 조직 오픈식에는 반도체 장비 세계 1위 기업 어플라이드머티리얼스(AMAT)와 램(LAM)리서치, KLA 등 글로벌 장비사들의 주요 경영진들이 참석한 것으로 전해졌다.