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삼성 독자 반도체 기술 유출… 피해액 4조3000억 추산

경찰, 前 임원 등 2명 구속 송치

나노 D램 공정 700여개 무단 사용
청두시 투자받고 합작 회사 설립
이직 임직원 30여명도 추가 수사

삼성전자가 수조원을 투입해 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 통째로 빼돌려 중국 지방정부와 합작으로 차린 회사에 유출한 전직 임원과 수석연구원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

 

서울경찰청 산업기술안보수사대는 10일 삼성전자 상무 및 옛 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 지낸 최모(66)씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모(60)씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 등 혐의로 검찰에 구속 송치했다고 밝혔다. 경찰은 합작 회사로 이직한 임직원 등 30여명에 대해서도 추가 입건해 수사 중이다.

중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) R&D 시설. 청두가오전 홈페이지 캡처

최씨와 오씨는 현재 중국 청두가오전(CHJS)에서 각각 대표와 공정설계실장직을 맡고 있다. 최씨는 2020년 중국 청두시의 투자를 받아 반도체 제조업체 청두가오전을 설립하는 과정에서 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입해 삼성전자의 메모리 반도체 핵심기술을 유출·부정사용한 혐의를 받는다.

 

이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 독자개발한 18나노급·20나노급 D램 반도체제조 기술과 기술공정도 700여개다. 삼성전자는 해당 기술을 개발하기 위해 각각 2조3000억원, 2조원을 들였다. ‘첨단 반도체의 교과서’로 불리는 20나노급 D램 개발에는 2000명 이상 인력이 투입됐다. 경찰은 피해 기술의 경제적 가치를 약 4조3000억원으로 추산했는데, 경제효과를 고려할 때 실제 피해 금액은 가늠하기 어렵다고 설명했다. 이들은 빼돌린 기술을 통해 통상 4∼5년이 걸리는 ‘시범 웨이퍼’ 생산을 공장 준공 1년3개월여 만에 마쳤다. 시범 웨이퍼는 적용한 기술이 실제 반도체로서 기능을 할 수 있는지 측정하는 기초 개발제품이다.

 

경찰은 삼성전자 등 국내업체에서 청두가오전으로 이직한 다른 임직원 30여명도 입건해 추가적인 기술 유출이 있었는지 등을 살펴보고 있다. 청두가오전 측은 이직 시 최소 2∼3배 연봉을 높여주고 현지 체재비, 자녀 교육비 등을 추가로 제공하겠다고 제안한 것으로 알려졌다. 경찰 관계자는 “뽑아간 인력들은 2, 3년만 활용한 뒤 장기 휴직 처리하는 등 사실상 해고 처리됐다”고 말했다.

 

최씨는 2018년에도 해외 반도체 업체의 투자를 받아 중국 시안에 삼성전자 반도체 공장을 통째로 복제한 공장을 설립하려다 실패해 현재 수원지법에서 재판을 받고 있다. 경찰은 지난해 2월 첩보를 입수해 이번 수사에 착수했다. 지난 1월 오씨에 대한 구속영장이 기각되자 보완 수사를 통해 이달 최씨와 오씨를 구속했다.