SK하이닉스가 세계 최초로 5세대 고대역폭메모리(HBM·사진)3E 12단 양산을 시작해 경쟁 중인 삼성전자, 미국 마이크론과의 격차를 더욱 벌렸다.
26일 SK하이닉스에 따르면 HBM3E 12단은 현존 HBM 최대 용량인 36GB(기가바이트)다. 기존 HBM3E 최대 용량은 24GB였다.
이번 제품의 동작 속도는 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 거대언어모델(LLM)인 ‘라마3 70B’를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 속도다.
용량은 늘렸지만 기존 8단 제품의 두께는 유지했다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘전통관극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.
얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제를 해결하기 위해 SK하이닉스 핵심기술인 어드밴스드 MR-MUF 기술(칩과 칩 사이 회로에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정)이 적용됐다. 이를 통해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높이고, 휨 현상을 제어해 안정성과 신뢰성을 확보했다.
12단 제품은 연내 엔비디아에 공급할 계획이다. SK하이닉스는 유일하게 HBM3E 8단 제품을 엔비디아에 납품하고 있다. 현재 삼성전자는 HBM3E 8단, HBM3E 12단 제품에 대해 엔비디아 승인 평가를 진행하고 있다.
김주선 SK하이닉스 사장(AI인프라 담당)은 “다시 한 번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”고 말했다.