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삼성전자가 4일(현지시간)부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업 모형을 업계 최초로 공개하고, AI 시대를 이끌 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다.
삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다. 전시 공간은 하이라이트, 클라우드 AI, 엣지 AI 존으로 구성했다. D램부터 낸드, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 설루션을 소개했다.
이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무는 4일 ‘AI 혁명 물길을 주도하다: 메모리·스토리지 아키텍처의 3D 혁신’을 주제로 기조연설을 진행했다. 두 연사는 삼성전자가 업계 최초로 공개한 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 통해 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.
고성능컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다. 이에 대안으로 zHBM이 꼽힌다.
zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다. AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다. zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다.
삼성전자는 D램 외에도 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다. zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션으로, 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.
제품명 끝의 ‘-O’는 On-device AI 환경에 최적화된 제품임을 의미한다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.
이번 전시에서 삼성전자는 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’를 공개했다. V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높였다. 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 아울러 △HBM4E △HBM5 △LPDDR5X-PIM △PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하, 5월에 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속 강화하고 있다.
LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다. 삼성전자는 차세대 메모리 기술 혁신과 원스톱솔루션을 제공할 수 있는 반도체 기업으로서 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 강화한다는 방침이다.
