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중국 반도체 굴기의 첨병으로 꼽히는 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 메모리 반도체를 내세워 업계 최강자인 ‘K(한국) 반도체’에 도전장을 내밀었다. 삼성전자와 SK하이닉스가 아직 개발하지 못한 4F²(포에프스퀘어) 기술에서 새로운 진전을 이뤘다며, 이를 통해 메모리 업계의 판도를 흔들겠다고 큰소리 친 것이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 메모리 제조 기술력을 끌어올리며 초격차 토대 다지기에 나섰다. 중국에 추격을 허용해 위기를 맞은 디스플레이와 이차전지의 전철을 밟지 않기 위해서다.
13일 외신과 반도체 업계에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 지난 10일 중국 상하이에서 열린 ‘제4회 집적회로 및 칩렛 콘퍼런스’에서 연말까지 최신 D램 제조 기술인 4F²를 적용한 차세대 서버용 메모리제품 ‘DDR5 RDIMM’을 내놓을 계획이라고 밝혔다. 이 행사에서 차오 총재는 “4F² 공정에서 진전을 이뤄냈다”고 발언하며 CXMT의 기술력을 과시한 것으로 전해졌다.
이 소식이 알려지자 국내외 반도체 업계에서 긴장감이 돌았다. 4F²는 세계 반도체 메모리 3강인 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론도 상용화 단계에 도달하지 못한 첨단기술이기 때문이다.
반도체 회로의 기본 단위가 ‘F(에프)’이고, 가로와 세로 길이가 F인 한 칸을 F²(에프스퀘어)라고 한다. 4F²란 데이터를 저장하는 공간인 ‘셀’이 차지하는 면적이 칸 4개란 뜻이다. 현재 D램은 셀의 크기가 6칸인 6F²(식스에프스퀘어) 공정을 사용한다. 셀이 차지하는 면적이 줄면, 똑같은 기판에 더 많은 셀을 투입할 수 있다. 같은 크기의 칩이라도 데이터를 저장하는 용량이 더 증가한다는 뜻이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 공정 기술을 개발하고 있지만 아직 상업화 단계에는 이르지 못했다. CXMT는 4F² 공정을 선점해 메모리 3강 체제에 균열을 내겠단 목표를 세웠다.
삼성전자와 SK하이닉스도 첨단 메모리 칩 기술 확보에 힘을 쏟고 있다. 삼성전자는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아 주 새너제이에서 열린 ‘OCP 글로벌 서밋 2026’ 행사에 참가해 차세대 AI 메모리 기술을 공개했다. OCP 글로벌 서밋은 전 세계 IT·반도체·서버 기업들이 참여해 하드웨어 기술과 표준화, AI 인프라 혁신 방향을 논의하는 연례행사다.
삼성전자는 이번 행사에서 8세대 고대역폭메모리인 HBM5와 커스텀 HBM을 포함한 고성능 메모리와 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 대거 선보였다. 앞서 삼성전자는 올해 열렸던 컴퓨텍스와 GTC, FMS 등 다른 반도체 기술 전시 행사에서도 새로운 AI 메모리 기술을 연달아 공개한 바 있다. 삼성전자 관계자는 “AI 데이터의 저장·처리 관련 전 영역에 걸쳐 차세대 제품과 기술을 지속적으로 공개하며 기술 경쟁력을 공고히 하고 있다”고 말했다.
SK하이닉스 역시 메모리 내부에 연산 기능을 넣은 프로세싱인메모리(PIM)와 낸드플래시를 HBM처럼 쌓아 올려 만든 고대역폭플래시(HBF) 같은 신기술 개발에 박차를 가하는 중이다.
반도체 업계 관계자들은 CXMT가 위협적인 기업이긴 하나 국내 업체가 가진 경쟁력이 높은 만큼 지나치게 공포감을 가질 필요는 없다고 본다. 시장 점유율이 가장 낮은 CXMT가 존재감을 과시하기 위해 내놓는 과장된 발언에 흔들릴 필요가 없다는 것이다. 한 업계 관계자는 “CXMT는 계획만 발표했을 뿐 정확히 기술이 어떤 수준이고, 수율(정상품 비율)과 비용에 대해서는 철저히 함구했다”며 “검증되지 않은 정보에 흔들리기보다는, 한국 기업의 기술 경쟁력을 높이는 데 집중할 시점”이라고 말했다.
